文章目录

0 引 言

1 实 验

1.1 铂薄膜电阻的制备

1.2 薄膜铂电阻表面特性及电阻—温度特性

2 结果与讨论

2.1 不同厚度的SiO2薄膜对铂薄膜形貌的影响

2.2 不同退火温度对铂薄膜微观结构的影响

2.3 不同退火温度对电学性能的影响

3 结 论

文章摘要:研究了退火温度对铂薄膜微观结构和电学性能的影响。在高曲率微小金属探针表面原位制造铂薄膜温度探测器,在450,500,550℃条件下进行退火。研究了不同厚度SiO₂薄膜对铂薄膜表面形貌的影响,重点介绍了经过不同温度退火后铂薄膜表面形貌和电学性能变化及其两者之间的相关性。实验结果表明:在金属探针表面制备2μm的SiO₂薄膜,既可以达到绝缘的效果,也可以保证粘附性。铂薄膜温度探测器初始电阻值、灵敏度和迟滞都有较大提高。但温度越高,对铂薄膜温度探测器的线性度影响越小。由于初始电阻值的变化幅度明显大于斜率ΔT/ΔR的变化幅度,所以电阻温度系数（TCR）均减小。因此,利用接近式光刻技术直接在高曲率物体表面制备金属薄膜,经过退火处理后可以得到稳定性高,响应速度较快、热阻性能较好的铂薄膜温度探测器。

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